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一种二进制缩放重组电容加权SAR ADC
一种二进制缩放重组电容加权SAR ADC
作者:
张钊锋
曲维越
梅年松
原文服务方:
微电子学与计算机
二进制缩放重组
电容加权
逐次逼近型模数转换器
低功耗
摘要:
基于TSMC 180 nm CMOS工艺,设计了一款12位100 KS/s低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC).为克服高精度下比较器失调与参考电压抖动对SAR ADC性能的影响,采用二进制缩放重组的方法实现电容加权,提高了SAR ADC的性能.与传统冗余校准技术相比,在未增加额外的冗余电容的情况下实现了校准的功能,并且保证了输入信号的摆幅.另外,采用低功耗开关切换方式、动态比较器和动态SAR逻辑有效降低了功耗.仿真结果表明,在0.7V电源电压下,采样率为100KS/s时,SAR ADC的有效位数为11.79 bit,功耗只有0.95 μW,FOM值仅2.68 fJ/conv.
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篇名
一种二进制缩放重组电容加权SAR ADC
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
二进制缩放重组
电容加权
逐次逼近型模数转换器
低功耗
年,卷(期)
2020,(6)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
24-29
页数
6页
分类号
TN
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语种
中文
DOI
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1
张钊锋
中国科学院上海高等研究院
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4.0
2
梅年松
中国科学院上海高等研究院
9
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2.0
3.0
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曲维越
中国科学院大学微电子学院
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电容加权
逐次逼近型模数转换器
低功耗
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研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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