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摘要：
Gallium oxide (Ga2O3) thin films were prepared on Si substrate by magnetron sputtering.The obtained samples were comprehensively characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning electron microscope (SEM).Ti,Pt,Ni and AZO were deposited on the Ga2O3 thin films as electrodes.This paper mainly studies the metal-semiconductor contact formed by these four materials on the films and the influence of annealing at 500 ℃ on the metal-semiconductor contact.The Ⅰ-Ⅴ characteristics show a good linear relationship,which indicates ohmic contact between Ga2O3 and other electrodes.
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| 篇名 | |||
| 来源期刊 | 光电子快报（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2020,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 118-121 | |
| 页数 | 4页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | 10.1007/s11801-020-9075-4 | ||
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光电子快报(英文版)
主办单位：
天津理工大学
出版周期：
双月刊
ISSN：
1673-1905
CN：
12-1370/TN
开本：
16开
出版地：
天津市南开区红旗南路263号
邮发代号：
创刊时间：
2005
语种：
eng
出版文献量（篇）
1956
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