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摘要:
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱.光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象.本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分.同时,指出了在提高激光等离子体13.5 nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题,包括提高转换效率和减少光源碎屑.特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置.最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望.
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文献信息
篇名 激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展
来源期刊 中国光学 学科 物理学
关键词 13.5 nm极紫外光刻技术 激光等离子体 极紫外光源 转换效率 光源碎屑 预脉冲激光
年,卷(期) 2020,(1) 所属期刊栏目 综述文章
研究方向 页码范围 28-42
页数 15页 分类号 O432.1
字数 10839字 语种 中文
DOI 10.3788/CO.20201301.0028
五维指标
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
13.5 nm极紫外光刻技术
激光等离子体
极紫外光源
转换效率
光源碎屑
预脉冲激光
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国光学
双月刊
2095-1531
22-1400/O4
大16开
吉林省长春市东南湖大路3888号
12-140
1985
chi
出版文献量(篇)
2372
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8
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11606
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