典型模拟电路性能退化仿真技术研究

• 作者: 于迪 刘岩 常玉春 李欣荣 杨云 聂国健
• 来源期刊: 吉林大学学报（信息科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟电路 性能退化 可靠性 仿真
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 信息与通信工程
• 页码范围: 243-249
• 页数: 7页
• 分类号: TN710.2
• 字数: 2872字
• 语种: 中文

摘要

为解决典型模拟电路在设计阶段可能引入的性能退化问题,通过分析国内外电路虚拟验证技术研究进展,并针对引起模拟电路性能退化的HCI(Hot Carrier Induced)、NBTI (Negative Bias Temperature Instability)、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdoun)等机理模型进行深入研究,开展了性能退化仿真流程模型设计、失效物理模型推导建立及模型参数提取3项关键工作.基于上述关键技术研究,选取典型模拟运算放大器,采用Cadence spectre软件开展了性能退化仿真研究.最终得出器件在25℃下,工作2年和10年后的性能退化情况,验证了该仿真方法的可行性.该结论可在模拟电路设计阶段,为其设计改进工作提供初步支撑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘岩	大连理工大学微电子学院	15	85	5.0	9.0
2	聂国健	工业和信息化部电子第五研究所可靠性数据中心	14	47	3.0	6.0
3	于迪	工业和信息化部电子第五研究所可靠性数据中心	16	12	2.0	3.0
4	常玉春	大连理工大学微电子学院	4	25	1.0	4.0
5	杨云	工业和信息化部电子第五研究所可靠性数据中心	6	2	1.0	1.0
6	李欣荣	工业和信息化部电子第五研究所可靠性数据中心	9	0	0.0	0.0