非晶SiO2团簇与单晶硅基底微观接触的分子动力学模拟

• 作者: 陈杨 陈爱莲 隆界龙
• 来源期刊: 常州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学模拟 非晶氧化硅 单晶硅 相变 化学机械抛光
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TH117.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0411.2020.05.001

摘要

通过分子动力学研究化学机械抛光过程中非晶SiO2团簇与单晶硅的微观接触行为,采用Tersoff势函数模拟了SiO2/Si之间的内部和表面交互作用.在考虑存在微观尺度黏着力及抛光垫的弹塑性变形的条件下,着重考察非晶SiO2与单晶硅的微观接触与黏着分离过程.通过分析所得载荷-深度关系曲线,表明SiO2团簇与单晶硅基体之间的微观接触中存在弹塑性变形.采用配位数(CN)和径向分布函数(RDF)分析单晶硅基底的相变过程,解释Si-Ⅰ→Si-Ⅲ→BCT5→Si-Ⅱ的相变路径.进一步发现,微观接触中的相变区域随接触深度的增加而变大,但因非晶SiO2中氧原子的影响使得相变区域的界限不清晰,且相变原子 β-Si的数量占优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈杨		28	56	4.0	6.0
2	陈爱莲		20	36	3.0	5.0
3	隆界龙		1	0	0.0	0.0