真空蒸镀中蒸镀源冷却时间对LED芯片性能的影响

• 作者: 郑宏
• 来源期刊: 家电科技
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 P电极 电子束真空蒸镀 蒸镀源冷却时间 界面电阻
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 制冷技术
• 页码范围: 70-72
• 页数: 3页
• 分类号: TN1|TN3
• 字数: 1722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19784/j.cnki.issn1672-0172.2020.01.010

摘要

主要介绍了LED红光芯片的常规正装垂直结构,以Cr/Ti/Al结构作为金属P电极,在真空蒸镀过程中各层间的蒸镀源冷却时间对LED芯片性能的影响.通过实验Cr/Ti间、Ti/Al间不同蒸镀源冷却时间反映出,对于单层Cr/Ti间冷却时间缩短,或双层Cr/Ti间及Ti/Al间蒸镀源冷却时间缩短到一定时间内,均可以有效降低LED芯片在生产制备环节中的电压,而对亮度影响较小,说明层间界面电阻在一定程度上会受蒸镀源冷却时间的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑宏		1	0	0.0	0.0