铼掺杂对碳化钍钨热电子阴极微观组织与力学性能的影响

• 作者: 朱惠冲 王贤友 王金淑 葛春桥
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 铼掺杂 热电子阴极 碳化钍钨 晶粒度 韧性
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 电子源专辑
• 页码范围: 34-36,40
• 页数: 4页
• 分类号: O462
• 语种: 中文
• DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2020.04.05

摘要

以铼酸铵为掺杂剂研究了铼掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响.利用金相显微镜研究了铼的掺杂量对碳化钍钨晶粒大小的影响,并用静压力计与冲击试验台测试分析了铼掺杂量对其力学性能的影响.研究结果表明,随着铼掺杂量的增加,碳化钍钨阴极晶粒逐渐减小,静压强度与抗冲击能量逐渐增加,当铼掺杂量超过0.5％时,晶粒大小与力学性能无明显变化.