基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析

• 作者: 孙醒涛 祁树岭 董晨名 贺琛 高圣伟
• 来源期刊: 天津工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 全桥双向DC-DC变换器 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT) 寄生参数 单移相控制 损耗分析
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 电子信息与自动化
• 页码范围: 61-68
• 页数: 8页
• 分类号: TM464
• 字数: 4364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-024x.2020.02.010

摘要

为减小氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的全桥双向DC-DC变换器(DAB)系统损耗模型与实际运行损耗所存在的偏差,考虑GaN HEMT中寄生参数对DAB系统动态开关过程的影响,建立了精细化DAB系统损耗模型;在单移相控制(SPS)工作模式下,分析了GaN HEMT的开关损耗、通态损耗、隔离变压器以及电感损耗,给出了不同工作阶段GaN HEMT的通态损耗、变压器的铜损耗和铁损耗的计算方法;搭建了DAB系统损耗模型仿真系统.实验结果表明:所建立的精细化损耗模型较实验损耗仅差约0.71％,可用于系统实际损耗的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高圣伟	天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室	23	52	5.0	6.0
3	孙醒涛	天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室	7	32	4.0	5.0
6	祁树岭	天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室	1	0	0.0	0.0
10	贺琛	天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室	1	0	0.0	0.0