A位和B位掺杂PZT压电陶瓷的性能对比分析

• 作者: 张元松 张静 燕周民 钟敏
• 来源期刊: 中国陶瓷工业
• 学科: 工学
• 关键词: PZT压电陶瓷 A位和B位掺杂 介电和压电性能 介电驰豫特性 热稳定性
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.13958/j.cnki.ztcg.2020.05.003

摘要

采用固相烧结法制备了A位和B位掺杂的PZT压电陶瓷.通过XRD分析了两个体系的相结构,并研究了A位和B位掺杂量对体系介电、压电性能的影响.研究表明:体系组分的相结构均为单一的钙钛矿结构;A位掺杂组分的准同型相界向富锆区域移动,B位掺杂组分的准同型相界向富钛区域移动;A位和B位等量各掺杂到组分中,A位掺杂组分的介电和压电性能要比B位掺杂组分的性能要好.两种组分具有典型的介电驰豫特性,A位掺杂组分的居里温度要比B位掺杂的居里温度要高,且热稳定性要比B位掺杂组分好.