微磁检测中表面切向磁场强度的线性外推测量方法

• 作者: 何存富 刘秀成 吴斌 尚万里 王磊 马坤
• 来源期刊: 应用基础与工程科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 线性外推法 切向磁场强度 磁场调整结构 磁滞回线
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 235-245
• 页数: 11页
• 分类号: TM154
• 语种: 中文
• DOI: 10.16058/j.issn.1005-0930.2020.01.020

摘要

表面切向磁场强度是微磁检测中磁特征信号的重要解析标度,其测量精度直接影响微磁检测结果的精度.提出利用霍尔元件阵列同步测取不同提离位置的切向磁场强度,基于线性外推原理准确测量表面的切向磁场强度的新方法.采用有限元仿真优化设计出磁场调整结构,放置于微磁传感器U型磁芯内跨距,可降低切向磁场强度沿提离方向的变化速率,提升线性外推法的精度并抑制提离波动对测量结果的影响.在65Mn钢板中进行的实验测试结果表明,相比电流估算法和单一霍尔元件测量法,应用线性外推法时传感器对磁滞回线的测量精度更高.此外,当磁芯与试件表面的提离处于O ～0.5mm范围时,应用线性外推法时传感器对65Mn钢板磁特性参数(饱和磁感应强度和剩余磁感应强度)的测量误差均小于1.13％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何存富		356	4897	36.0	53.0
2	王磊		43	302	10.0	15.0
3	吴斌		378	5047	37.0	54.0
4	刘秀成		37	171	9.0	11.0
5	马坤		2	0	0.0	0.0
6	尚万里		1	0	0.0	0.0