扶手椅型硅纳米管电子结构的研究

• 作者: 刘玉荣 罗祥燕 谢泉
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 半导体材料 扶手型硅纳米管 导电性 能带结构
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 团簇与纳米结构
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2020.01.009

摘要

在本文中,我们使用密度泛函理论的第一性原理方法来研究手性指数m=n=K(K为3～ 15的整数)的扶手型硅纳米管的能带结构和态密度.计算结果表明,扶手型(3,3)硅纳米管为间接带隙结构,其余均为直接带隙结构;随着手性指数增加,硅纳米管的直径增大,硅纳米管的禁带宽度逐渐减小,导带逐渐向下移动,并且总态密度图峰值强度增加;扶手型(3,3)硅纳米管的禁带宽度最大化;扶手型(13,13)硅纳米管的禁带宽度最小,说明其导电性优于其他手性指数的扶手椅型硅纳米管;同时,扶手型(4,4)硅纳米管的导带和价带重叠,表明扶手型(4,4)硅纳米管是金属纳米管;态密度图显示扶手型(9,9)硅纳米管的价带顶部主要由Si-3p电子态组成,导带的底部由Si-3s态电子和Si-3p态电子组成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学大数据与信息工程学院	133	486	12.0	17.0
2	刘玉荣	贵州大学大数据与信息工程学院	2	0	0.0	0.0
3	罗祥燕	贵州大学大数据与信息工程学院	4	0	0.0	0.0