室温350～850 nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析

• 作者: 乔辉 李向阳 焦翠灵 王仍 陆液 霍勤
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 关键词: ZnSe晶体 阴极荧光光谱(CL) Zn夹杂
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 601-604
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2020.05.010

摘要

室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350～850 nm的无损全光阴极荧光图谱检测,分析了晶体内部缺陷及夹杂情况,室温下测得ZnSe晶体在400～550 nm的阴极荧光光谱,阴极荧光光谱测得462 nm处的ZnSe本征发光峰.缺陷处测得462 nm的本征发光峰和453 nm的缺陷发光峰,结合能谱分析,ZnSe晶体表面缺陷处的Zn:Se比约为6:4.阴极荧光图谱中缺陷处发光峰主要来自Zn夹杂缺陷发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔辉	中国科学院上海技术物理研究所	16	44	4.0	6.0
2	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所	110	438	10.0	14.0
3	焦翠灵	中国科学院上海技术物理研究所	8	10	2.0	2.0
4	王仍	中国科学院上海技术物理研究所	8	9	2.0	2.0
5	陆液	中国科学院上海技术物理研究所	6	4	1.0	1.0
6	霍勤	中国科学院上海技术物理研究所	1	0	0.0	0.0