Cu12Sb4S13量子点的光照增强阻变性能

• 作者: 刘曰利 周静 沈杰 王志青 陈彬彬 陈文 龚少康
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 光照 全无机Cu12Sb4S13量子点 阻变性能 阻变存储器
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 材料化学
• 页码范围: 1908-1916
• 页数: 9页
• 分类号: O614
• 字数: 5144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7503/cjcu20200166

摘要

采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12 Sb4 S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作电压和105的高阻变开关比,并表现出优异的数据保持性和耐久性.在持续工作1.4×106 s和经过104次快速读取后,器件阻变性能变化率小于0.1％.在光照和电场共同作用下,S2-导电通道的形成与破坏和FTO/CAS QDs界面肖特基势垒高度的调制是FTO/CAS QDs/Au在高阻态与低阻态之间转变的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈文	武汉理工大学材料科学与工程学院	216	1824	21.0	26.0
2	周静	武汉理工大学材料科学与工程学院	122	928	18.0	22.0
3	沈杰	武汉理工大学材料科学与工程学院	18	51	6.0	7.0
4	刘曰利	武汉理工大学材料科学与工程学院	4	9	1.0	3.0
5	王志青	武汉理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
6	陈彬彬	武汉理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
7	龚少康	武汉理工大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0