Ho:Sc2SiO5可饱和吸收体被动Q开关Tm:YAlO3激光器

• 作者: 张斌 李立 杨晓涛 白冰 祝贝贝 薛喻宸
• 来源期刊: 聊城大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Ho:SSO晶体 Tm:YAP激光器 被动Q开关 混合调Q
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 光纤通信与激光器件研究
• 页码范围: 38-43,65
• 页数: 7页
• 分类号: O441.4
• 字数: 1428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19728/j.issn1672-6634.2020.05.005

摘要

报道Ho:Sc2SiO5(Ho:SSO)晶体作为一种新型可饱和吸收体用于被动Q开关Tm:YAlO3(Tm:YAP)固体激光器.在793 nm激光二极管端面泵浦下,Ho:SSO被动Q开关Tm:YAP激光器产生稳定的微秒脉冲输出,发射激光波长为1.88μm.实验获得了130 m W的最大平均功率和5.2μJ的单脉冲能量输出,脉冲宽度为1.87μs,重复频率为25 kHz.通过引入声光调制器,设计搭建了基于Ho:SSO晶体混合调Q的Tm:YAP激光器,有效压缩了脉冲宽度至百纳秒量级.实验获得了最小213 ns的脉冲宽度,且在4 kHz重复频率下最大单脉冲能量达到34μJ,这项工作表明了新型Ho:SSO晶体作为1.9 mm波段可饱和吸收体的实际应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓涛	哈尔滨工程大学动力与能源工程学院	8	47	4.0	6.0