新型四配位硅基材料的结构与性质

• 作者: 张于微 张彩云 方磊 曹泽星
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 硅基材料 平面四配位硅 活化 转化 第一性原理计算 从头算分子动力学模拟
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 理论化学
• 页码范围: 828-836
• 页数: 9页
• 分类号: O641
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.202006016

摘要

硅基半导体已广泛用于光电转化和现代通信等不同领域,新型硅基材料的发展,有助于应对功能材料在现代科技领域面临的挑战.本文主要介绍本课题组近年来在新型四配位硅基材料领域中的理论设计与计算模拟,包括新型四面体硅基材料和平面四配位硅基二维单层材料.基于Si(C≡C)4结构单元,设计了一系列类金刚石结构的宽带隙半导体材料,预测了它们的结构、光电及力学性质,分析了平面四配位硅的成键特征及其稳定化策略,探讨了含平面四配位硅的二维单层材料在锂离子电池和CO2活化转化中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张彩云		20	266	12.0	16.0
2	曹泽星		21	71	4.0	8.0
3	方磊		2	0	0.0	0.0
4	张于微		1	0	0.0	0.0