后摩尔时代的技术创新

• 作者: 许居衍 黄安君
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 摩尔定律 硅-冯范式 类硅模式 类脑模式 异构集成 芯粒
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN40
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1210

摘要

从半导体技术与架构分类的角度出发,从科技范式的高度揭示了后摩尔时代百花斗艳的创新图象.基于硅CMOS技术和冯·诺依曼计算架构所形成的"硅-冯"范式,仍将长期主导电子信息产业的发展,但创新主体已从技术转向架构.与此同时,在冯氏架构下,探索类同硅CMOS的器件技术创新("类硅"模式)和采用硅CMOS技术模拟脑神经的非冯架构创新("类脑"模式)也在应用推动下得到快速发展.现行架构下的新兴技术创新和现行技术下的新兴架构创新终将迎来技术与架构全新的颠覆性创新("新兴"范式),从而再一次回归到物理基础创新.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许居衍		9	14	3.0	3.0
2	黄安君		3	4	1.0	2.0