CVD法制备二维MoS2的形貌调控研究

• 作者: 张鑫 赵鸿滨 张青竹 魏峰
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: 二硫化钼 化学气相沉积 形核促进剂 过渡金属硫化物
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1249-1254
• 页数: 6页
• 分类号: O614.61+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY18040036

摘要

采用常压化学气相沉积法(CVD)生长了单层、双层及多层二维MoS2,通过形核促进剂对生长基体进行处理,生长了不同形貌尺寸的MoS2,并使用拉曼光谱和原子力显微镜(AFM)进行形貌与结构表征,分析探索了在化学气相沉积系统下的二维MoS2生长规律.结果表明,生长温度与时间、CVD通入气体的载气流量能够显著影响二维MoS2的尺寸、层数及结构等性质.其中生长时间是影响二维MoS2的层数的决定因素,载气流量能够影响二维MoS2结构的稳定性,生长温度则可显著影响MoS2的生长尺寸.通过构建生长模型与分析,解释了在富硫、缺硫和平衡氛围下,导致MoS2的不同几何形状生长倾向的原因.富硫和缺硫氛围下S-zz和Mo-zz边生长速率差异较大,因此MoS2倾向于三角形生长;平衡氛围下S-zz和Mo-zz边生长速率相近,故倾向于六边形生长.这为生长特定形貌尺寸的单层MoS2提供了参考.