美国军方研发新型毫米波GaN技术

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 微波电路 弗吉尼亚州 毫米波 GAN 加利福尼亚州 集成电路 DARPA 航空航天
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 25-26
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

美国军事研究人员正在要求位于加利福尼亚州马里布的HRL实验室的集成电路专家改进用于航空航天和国防应用的射频和微波电路。位于弗吉尼亚州阿灵顿的美国国防高级研究计划局(DARPA)官员近曰宣布,对HRL进行一项840万美元的合同修改,以用于毫米波GaN成熟(MGM)计划的第二阶段。