单晶SiC的电助光催化抛光及去除机理

• 作者: 何艳 段振云 王雪 苑泽伟
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: SiC 电助光催化抛光 TiO2 抛光液 去除机理
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 机械基础工程
• 页码范围: 403-409
• 页数: 7页
• 分类号: TH161
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-132X.2020.04.005

摘要

为满足电子半导体等领域对SiC超光滑、无损伤和材料高效去除的要求,提出了电助光催化抛光SiC的新方法.研究了光催化剂种类及其p H值对抛光液氧化性和抛光效果的影响,讨论了材料的去除机理.结果表明:以p25型TiO2为光催化剂配制抛光液所获得的最大氧化还原电位为633.11 mV,材料去除率为1.18μm/h,表面粗糙度Ra=0.218 nm;抛光后SiC表面氧化产物中,Si-C-O、Si-O和Si4 C4 O4的含量明显增加,SiC表面被氧化并被机械去除是主要的材料去除方式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段振云	沈阳工业大学机械工程学院	84	317	10.0	13.0
2	王雪	沈阳工业大学机械工程学院	20	10	2.0	2.0
3	何艳	沈阳工业大学机械工程学院	7	11	2.0	3.0
4	苑泽伟	沈阳工业大学机械工程学院	11	28	4.0	5.0