Mo背电极对CIGS吸收层生长特性的影响

• 作者: 于威 张俊敏 赵蔚 高泽冉
• 来源期刊: 化工设计通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 单一四元靶材 一步溅射法 CIGS
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 油气勘探
• 页码范围: 239-240
• 页数: 2页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2099字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6490.2020.02.159

摘要

研究了利用单一四元靶材进行一步溅射法制备的CIGS薄膜的特性.研究了工作气压、衬底温度、Mo背电极对CIGS薄膜性能的影响.研究发现,当CIGS直接沉积在玻璃基底上时,一步溅射CIGS薄膜的优先取向和结晶度受工作气压和衬底温度的影响.而在器件制备方面,Mo背电极主导了CIGS薄膜的生长行为,并诱导其形成了较大的CIGS晶粒尺寸和较好的结晶度.最后,采用一步溅射法在0.07～2.66Pa的工作气压下制备了CIGS器件,最高效率达到8.67%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于威	河北大学新能源光电器件国家地方联合工程实验室河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
2	张俊敏	河北大学新能源光电器件国家地方联合工程实验室河北大学物理科学与技术学院	6	6	1.0	2.0
3	赵蔚	河北工程大学数理科学与工程学院	12	39	5.0	6.0
4	高泽冉	河北大学新能源光电器件国家地方联合工程实验室河北大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0