金刚石散热衬底在GaN基功率器件中的应用进展

• 作者: 刘金龙 叶海涛 孔月婵 李成明 贾鑫 邵思武 陈良贤 魏俊俊 黄亚博
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石 氮化镓 电子器件 转移技术 高热导率 界面热阻
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 研究综述
• 页码范围: 111-123
• 页数: 13页
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2020.11.013

摘要

氮化镓(GaN)基功率器件性能的充分发挥受到沉积GaN的衬底低热导率的限制,具有高热导率的化学气相沉积(CVD)金刚石,成为GaN功率器件热扩散衬底材料的优良选择.相关学者在高导热金刚石与GaN器件结合技术方面开展了多项技术研究,主要包括低温键合技术、GaN外延层背面直接生长金刚石的衬底转移技术、单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术.对GaN功率器件散热瓶颈的原因进行了详细评述,并对上述各项技术的优缺点进行了系统分析和评述,揭示了各类散热技术的热设计工艺开发和面临的技术挑战,并认为低温键合技术具有制备温度低、金刚石衬底导热性能可控的优势,但是大尺寸金刚石衬底的高精度加工和较差的界面结合强度对低温键合技术提出挑战.GaN外延层背面直接生长金刚石则具有良好的界面结合强度,但是涉及到高温、晶圆应力大、界面热阻高等技术难点.单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术则分别受到单晶金刚石尺寸小、成本高和工艺不兼容的限制.因此,开发低成本大尺寸金刚石衬底,提高晶圆应力控制技术和界面结合强度,降低界面热阻,提高金刚石衬底GaN器件性能方面,将是未来金刚石与GaN器件结合技术发展的重点.