快速热退火工艺对工业生产红光LED芯片性能的影响

• 作者: 余景权 孙耕 朱斌 耿文涛 陈苡宁
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 快速热退火 ITO薄膜 欧姆接触 LED芯片
• 年，卷（期）: 2020,（16）
• 所属期刊栏目: 测试工具与解决方案
• 页码范围: 84-86,67
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

采用电子束蒸发工艺在GaAs基LED外延层上制备了氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)薄膜,采用快速热退火(RTA:Rapid Thermo Annealing)工艺制备ITO薄膜与GaAs外延层的欧姆接触.研究了退火温度、退火时间对ITO薄膜性能以及LED芯片性能的影响.结果 显示:固定退火时间8s时,ITO薄膜方块电阻呈减小趋势,但变化不大,430℃时为7.7Ω/口;LED芯片亮度LOP呈现非线性先上升后下降趋势,430℃时达峰值136mcd;外延片背面欧姆电阻呈现先下降后上升抛物线趋势,440℃时达谷值1.13Ω.固定退火温度415℃时,LED芯片亮度LOP呈现非线性先上升后下降趋势,退火12s时达峰值132.5mcd;外延片背面欧姆电阻呈现先下降后上升抛物线趋势,退火12s时时达谷值0.93Ω.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱斌		1	0	0.0	0.0
2	余景权		1	0	0.0	0.0
3	陈苡宁		1	0	0.0	0.0
4	耿文涛		1	0	0.0	0.0
5	孙耕		1	0	0.0	0.0