盖革模式雪崩光电二极管的场效应管淬灭电路设计

• 作者: 施向东 赖晓艳
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 盖革模式 APD 场效应管淬灭电路 激光测距成像
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 系统与设计
• 页码范围: 56-59,78
• 页数: 5页
• 分类号: TN958.98
• 语种: 中文

摘要

雪崩光电二极管(Avalanche Photondiode,APD)是一种常用于激光探测领域的光敏元件.本文针对盖革模式雪崩光电二极管(Geiger Mode-Avalanche Photondiode,Gm-APD)工作时发生的雪崩效应,设计了一种场效应管淬灭电路(Field Effect Transistor Quenching Circuit).首先,针对Gm-APD器件的特性建立了Gm-APD的电学模型.其次,在此模型的基础上,设计并仿真验证了场效应管淬灭电路,实现了对Gm-APD的快速淬灭.结果表明,本文设计的场效应管淬灭电路淬灭速度快、死时间短、性能较优,淬灭时间和死时间分别为21.026 ns和16.5 ns,满足激光测距成像的应用需求.