具有高度连续传导调制的记忆器件及其在电子突触应用中的基本物理机制

• 作者: 张晶 杨涛 王静娟 赵建辉 闫小兵
• 来源期刊: 中国科学:材料科学(英文版)
• 学科: 教育
• 关键词: 忆阻器 扫描周期 记忆特性 电压扫描 电压脉冲 电子跃迁 计算功能 体效应
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 页码范围: 179-188
• 页数: 10页
• 分类号: G63

摘要

新兴的忆阻器可以用作模拟记忆和计算功能的人工突触.在这项工作中,受钽氧化物记忆特性的启发,我们设计了一种结构为TiN/Ta2O5-x/HfxZr1-xO2(x=0.5)/Pt(TTHZOP)的忆阻器.通过调整电压扫描的电压脉冲参数(即振幅、脉宽和数量),可以连续调节器件的电导.此外,对于正负两部分,扫描周期的电流-电压(I-V)曲线在连续20个周期内似乎更好地调整了渐进分布.根据20条正、负I-V曲线的精细拟合结果,详细分析了电子跃迁势垒的概率和势垒宽度.结果表明,在连续的体效应和界面效应共同作用下,界面处的电子隧穿机制导致导电性逐渐变化.本文所提出的TTHZOP忆阻器在模拟人工生物突触适应和模拟脑计算方面具有潜在的应用价值.