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摘要:
The commercialization of lithium niobate on insulator (LNOI) wafer has resulted in significant on-chip photonic integration application owing to its remarkable photonic,acousto-optic,electro-optic,and piezoelectric nature.In recent years,a variety of high-performance on-chip LNOI-based photonic devices have been realized.In this study,we developed a 1-mol% erbium-doped lithium niobate crystal and its LNOI on a silicon substrate and fabricated an erbium-doped LNOI microdisk with high quality factor (~ 1.05×105).C-band laser emission at ~1530 and ~1560 nm (linewidth 0.12 nm) from the high-Q erbium-doped LNOI microdisk was demonstrated with 974-and 1460-nm pumping,with the latter having better thermal stability.This microlaser would play an important role in the photonic integrated circuits of the lithium niobate platform.
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篇名 On-chip erbium-doped lithium niobate microcavity laser
来源期刊 中国科学:物理学 力学 天文学(英文版) 学科
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年,卷(期) 2021,(3) 所属期刊栏目 Editor's Focus
研究方向 页码范围 1-6
页数 6页 分类号
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中国科学:物理学 力学 天文学(英文版)
月刊
1674-7348
11-5849/N
16开
北京东黄城根北街16号
80-212
2004
eng
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