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摘要:
设计实现了一款高耐压单刀单掷天线调谐开关,用于Sub-6 GHz的天线孔径调谐、阻抗调谐以及宽带开关.设计采用串-并联和体区自适应偏置结构,兼顾插入损耗和隔离度;此外基于传统的堆叠结构进行改进,通过设计各级晶体管的尺寸不均匀,极大程度地提高了开关并联支路承受电压的能力;通过采用两级偏置网络,减小了栅端和体端的泄露从而削弱关断状态下寄生电容不等效应,最终实现支路电压耐受能力的提高.所提出的设计采用130 nm SOI CMOS工艺,仿真结果表明工作频率为0.1 GHz~5 GHz,导通电阻为1.24Ω,关断电容为112 fF,插入损耗为0.14~0.48 dB,隔离度带内大于30 dB,电压承受能力大于60 V.
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文献信息
篇名 一种高耐压SPST天线调谐开关设计
来源期刊 信息技术与网络安全 学科
关键词 SPST天线调谐开关 非均匀堆叠结构 两级偏置网络 高耐压
年,卷(期) 2021,(5) 所属期刊栏目 网络与通信|Network and Communication
研究方向 页码范围 68-73
页数 6页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.19358/j.issn.2096-5133.2021.05.012
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研究主题发展历程
节点文献
SPST天线调谐开关
非均匀堆叠结构
两级偏置网络
高耐压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
信息技术与网络安全
月刊
2096-5133
10-1543/TP
大16开
北京市海淀区清华东路25号(北京927信箱)
82-417
1982
chi
出版文献量(篇)
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