原位硫化制备SnS/SnS2纳米片及光学特性

• 作者: 刘强 刘世民 吴爱民 黄子岸 周丽梅
• 来源期刊: 大连交通大学学报
• 关键词: SnS/SnS2异质结 纳米片 光吸收 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程|Material Science & Engineering
• 页码范围: 57-61,65
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13291/j.cnki.djdxac.2021.04.011

摘要

利用直流电弧等离子体技术制备出Sn纳米粒子,接着以升华硫作为前驱体,通过原位硫化技术在不同温度下硫化,获得锡硫化合物.对所制备样品的物相和形貌进行了表征,并利用分光光度计研究了样品的光学特性.结果表明,在200℃硫化后得到的产物为纯块状SnS.随着温度的升高,样品逐渐转变为SnS/SnS2异质结纳米片,最终在400℃时转变为纯SnS2纳米片.在转变过程中,可以通过控制硫化温度实现材料禁带宽度的调节.