掺Zn改善SnS2光电薄膜的性能

• 作者: 康海涛 李健 柴燕华
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热蒸发 SnS2薄膜 Zn掺杂 热处理 特性
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 562-567
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文

摘要

热蒸发制备Zn掺杂SnS2薄膜,研究不同Zn含量及热处理条件对薄膜的物相结构、表面形貌和光电性能的影响.实验给出用Sn:S=1∶1.08(wt)混合粉末沉积的薄膜,经380℃、15min热处理后得到简单正交晶系的SnS2薄膜;9(wt％)掺Zn后的薄膜热处理条件为370℃、20min.Sn、S和Zn分别以正4价、负2价和正2价存在于薄膜中.SnS2薄膜的直接光学带隙为2.12eV,掺Zn后为2.07eV;薄膜的电阻率从未掺Zn时的4.97×102Ω·cm降低到2.0Ω· cm,下降了两个数量级,所有SnS2薄膜导电类型均为N型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李健	内蒙古大学物理科学与技术学院	36	200	7.0	12.0
5	康海涛	内蒙古大学物理科学与技术学院	2	4	1.0	2.0
9	柴燕华	内蒙古大学物理科学与技术学院	2	8	2.0	2.0