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摘要:
自旋电子学和谷电子学作为半导体物理的新方向,旨在利用电子的自旋和谷自由度来实现新型的逻辑运算和信息处理.圆偏振光伏效应是近年来研究自旋电子学和谷电子学的重要实验手段,也是实现新型的自旋与谷存储器件的一个可能的方式,为下一代的器件信息的处理方法提出了一种新的可能.圆偏振光伏效应是一种二阶非线性光电响应,是指材料在圆偏振光的激发下产生随偏振角度变化的光电流.光电流的产生依赖于自旋、谷极化、对称性以及Berry曲率等诸多因素,可以揭示出材料深层次的物理性质.本篇综述主要讨论了在不同材料体系产生圆偏振光伏效应的主要机制,包括在半导体异质结由对称性破缺导致的Rashba自旋轨道耦合引起的圆偏振光电流,以及拓扑Weyl半金属由Berry曲率以及泡利阻塞造成的电子动量选择,以及二维层状过渡金属硫化物中圆偏振光产生的谷极化电流等.在此基础上,本文还简略介绍了一些新型二维材料中的圆偏振光伏效应的可能实现的方式,以及一些潜在的应用.
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文献信息
篇名 圆偏振光伏效应
来源期刊 物理学报 学科
关键词 圆偏振光伏效应 Rashba效应 自旋极化 Berry曲率
年,卷(期) 2021,(13) 所属期刊栏目 专题—原子制造:基础研究与前沿探索|SPECIAL TOPIC—Toward making functional devices at an atomic scale:Fundamentals and frontiers
研究方向 页码范围 92-108
页数 17页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.70.20210498
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研究主题发展历程
节点文献
圆偏振光伏效应
Rashba效应
自旋极化
Berry曲率
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
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1933
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