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大面积α-MoO3的制备及其存储计算研究进展
大面积α-MoO3的制备及其存储计算研究进展
作者:
单欣
王芳
胡凯
魏俊青
林欣
赵轩宇
周宝增
张楷亮
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
α-MoO3
大面积制备
存储计算
神经形态器件
摘要:
近年来,α-MoO3在忆阻器件的研究中得到广泛关注,其中氧含量的变化导致电阻率的改变,以及独特的层状结构有利于各种离子的插层从而调节电导,因此其在离子栅结构的突触晶体管的研究中发挥出重要作用.本文主要对层状α-MoO3的基本性质、二维层状α-MoO3的大面积制备方法和特性及其在存储计算领域的应用进展进行了分析.首先阐述了α-MoO3的晶体结构、能带结构以及缺陷态.对比了大面积α-MoO3的制备方法,包括一步法直接得到α-MoO3纳米片,以及通过磁控溅射和原子层沉积方法结合后退火工艺实现α-MoO3薄膜的制备.详细讨论了不同合成方法制得的α-MoO3在存储计算应用中的优势.对比α-MoO3在阻变存储中的器件性能,总结α-MoO3基神经突触器件性能及其应用进展.最后,结合α-MoO3近期研究进展展望了其在存储计算领域的机会与挑战.
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文献信息
篇名
大面积α-MoO3的制备及其存储计算研究进展
来源期刊
物理学报
学科
关键词
α-MoO3
大面积制备
存储计算
神经形态器件
年,卷(期)
2021,(9)
所属期刊栏目
综述|REVIEW
研究方向
页码范围
187-199
页数
13页
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.7498/aps.70.20201813
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(0)
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(0)
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(0)
2021(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
α-MoO3
大面积制备
存储计算
神经形态器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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