Rambus解决方案扩展高性能内存子系统产品

• 作者: 肖霞
• 来源期刊: 计算机与网络
• 年，卷（期）: 2021,（11）
• 所属期刊栏目: 市场透析
• 页码范围: 75
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-1739.2021.11.059

摘要

Rambus近日宣布推出 Rambus HBM2E 内存接口子系统,该子系统包括一个完全集成的PHY和控制器,在三星先进的14/11 nm FinFET工艺上经过硅验证.通过利用30多年的信号完整性专业知识,Rambus解决方案的运行速度高达3.2 Gbps,可提供410 GB/s的带宽.