JPV(结光电压)技术及其在硅基外延材料掺杂中的应用研究

• 作者: 屈敏 刘聪 任宇轩 张静 刘金彪
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（18）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 59-60
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

当前,在5G、云计算、人工智能以及大数据等需求的强力推动下,作为基础工艺的集成电路制造技术发展迅猛,器件的关键尺寸不断缩小,同时一些新的高迁移率材料也被引入制造当中,用以提高器件的性能并降低功耗,这其中,Ge材料作为一类高迁移率材料最为业内关注.为了与产业界的大尺寸晶圆制造工艺相兼容,这种材料的应用一般都是通过在硅衬底上外延薄膜Ge单晶材料来实现的,外延材料依厚度据设计和工艺的不同,在几十纳米至几微米不等,在纳米逻辑器件中,外延层厚度一般都在百纳米尺度水平,这个厚度对包括四探针一类的接触测试接触提出了重要挑战.