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摘要:
本文通过设计和优化InP/InGaAsP外延材料和芯片结构实现高线性掩埋结构(BH) FP激光芯片;通过不同腔长芯片测试结果显示:1200μm为优化腔长,芯片出光功率在400mA电流下超过130mW,光谱峰值波长在光通信C波段,芯片出光水平和垂直发散角分别为5°和15°,试验结果为进一步优化高线性激光器提供基础.
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篇名 InP基C波段高线性激光芯片的设计与制备
来源期刊 电子世界 学科
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年,卷(期) 2021,(15) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 200-201
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电子世界
半月刊
1003-0522
11-2086/TN
大16开
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2-892
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