X波段功率器件外壳端口仿真与测试差异性研究

• 作者: 颜汇锃 施梦侨 周昊 陈寰贝
• 来源期刊: 电子技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 探针测试 X波段 大功率封装外壳 辐射损耗
• 年，卷（期）: 2022,（4）
• 所属期刊栏目: 射频与微波|RF and Microwave
• 页码范围: 98-103
• 页数: 6页
• 分类号: TN454
• 语种: 中文
• DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.212360

摘要

基于探针测试方法进行X波段功率器件外壳端口的仿真与测试差异性研究.在使用仿真软件对其进行优化后,通过HTCC(高温共烧陶瓷)工艺线制备和生产,发现使用GSG探针对该端口进行测试后的插入损耗远远大于仿真结果.通过对照实验和仿真验证等实验方法,分析出插入损耗仿真与测试的差异来源于辐射损耗,导致信号在返回路径的信号完整性受到影响.对结构进行相应的优化后插入损耗大幅减小,证明辐射损耗是造成差距的原因,通过电磁屏蔽可以得到有效解决.该研究可以为大功率器件类封装外壳的设计、测试和使用提供借鉴意义.