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重离子引起SiCMOSFET栅氧化物潜在损伤研究
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重离子引起SiCMOSFET栅氧化物潜在损伤研究
来源期刊
原子能科学技术
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关键词
年,卷(期)
2024,(12)
所属期刊栏目
器件辐射效应研究及加固技术新进展
研究方向
页码范围
20-29
页数
10页
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中文
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期刊影响力
原子能科学技术
主办单位:
中国原子能科学研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-6931
CN:
11-2044/TL
开本:
大16开
出版地:
北京275信箱65分箱
邮发代号:
创刊时间:
1959-01-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
7198
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27955
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