微纳电子与智能制造期刊
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微纳电子与智能制造

Micro/nano Electronics and Intelligent Manufacturing

《微纳电子与智能制造》(刊号:CN10-1594/TN,ISSN 2096-658X)是微纳电子与智能制造领域国内外公开发行的专业学术类科技期刊。刊载微纳电子与智能制造及其交叉领域的研究新进展、新技术和新成果,促进学术交流和成果转化,推动产学研一体化发展,提高我国在该领域的科研装备水平。名誉主编有王阳元院士、沈绪榜院士、欧阳钟灿院士、王启明院士、尤政院士、毛军发院士。主编为北京大学张兴教授,... 更多
主办单位:
北京方略信息科技有限公司 北京市电子科技情报研究所
ISSN:
2096-658X
CN:
10-1594/TN
出版周期:
季刊
邮编:
100009
地址:
北京市东城区北河沿大街79号
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  • 作者: 张莹 杜春玲 缪向水
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  1-3
    摘要: 忆阻器被认为是继电阻、电容、电感之后的第4种基本电路元件,这一个概念的提出和实现给传统电路理论带来了根本性的变革。忆阻器在新一代信息技术诸多领域(包括低功耗类脑计算、非易失逻辑运算、信息存储...
  • 作者: 张兴
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  2-2
    摘要: "爆竹声中一岁除,春风送暖入屠苏"。在这万物复苏、大地回春之际,《微纳电子与智能制造》期刊第四期给大家带来了新年的祝福,祝大家新春愉快、万事如意!本期的主题是"忆阻器与类脑芯片",重点介绍这...
  • 作者: 康晋锋
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  4-9
    摘要: 随着信息与集成电路技术和产业的快速发展,目前已经进入到大数据与后摩尔技术时代,如何快速有效地处理海量复杂信息,成为传统的微电子集成电路技术面临的巨大的挑战与发展瓶颈,探索研究并提出变革性技术...
  • 作者: 缪向水
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  7-7
    摘要: 当今计算系统的性能提升面临两大难题:晶体管器件尺寸微缩摩尔定律难以延续,以及冯·诺依曼体系中计算和存储分离的瓶颈。忆阻器的出现和发展是非冯计算系统的曙光。自从1971年加州大学伯克利分校Le...
  • 作者: 王宏 郝跃 马晓华
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  10-17
    摘要: 物理瞬态电子是指电子器件或系统在完成指定的工作任务后,在外界刺激或相关程序的启动下,通过化学或物理过程能够实现其物理形态和器件功能部分或完全消失的一种新型电子器件,它可以有效避免传统芯片中信...
  • 作者: 何毓辉 缪向水 陈可欣
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  18-23
    摘要: 忆阻器是一类具有记忆作用的电阻器件,它的忆阻值可以由通过器件的电荷或通量精准调控,在电激励信号撤去之后,其忆阻值也能保持。利用纳米尺度下流体中一些特殊的传输现象,建立了基于纳流体通道系统的界...
  • 作者: 李灏阳 李祎 潘文谦 王峰 秦一凡 缪向水 陈佳
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  24-38
    摘要: 基于忆阻突触器件的硬件神经网络是神经形态计算的重要发展方向,是后摩尔时代突破传统冯·诺依曼计算架构的有力技术候选。综述了国内外忆阻硬件神经网络的近期发展现状,从器件发展和神经网络两个方面,详...
  • 作者: 万青 朱力
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  39-50
    摘要: 神经元是大脑信息处理的基本单元,突触则是神经元之间在功能上发生联系的部位,也是信息传递和处理的关键部位。从底层出发研制具有生物突触和神经元功能的固态器件与系统对于研制超低功耗"类脑芯片"和实...
  • 作者: 席悦 张清天 耿一文 高滨
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  51-57
    摘要: 近年来,随着物联网和深度学习算法的发展,以及对于复杂任务需求的增加,对于人工智能芯片加速器的算力和规模要求逐渐提高。基于冯·诺依曼架构的人工智能芯片弊端逐渐显露,即由于需要内存和计算单元的数...
  • 作者: 张恒杰 张欢 毛旭瑞 程传同 董毅博 陈子龙 黄北举
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  58-70
    摘要: 现阶段计算与存储分离的"冯·诺依曼"体系在功耗和速率方面已经不能满足人工智能、物联网等新技术的发展需求,存算一体化的类脑计算方案有望解决这一问题,迅速成为研究热点。忆阻器是一种新型微电子基础...
  • 作者: 余兆安 罗庆 郑旭
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  71-75
    摘要: 主要研究了基于氮化钛(TiN)/氧化铌(Nb2O5-x)/铂(Pt)的三维结构阻变存储器(RRAM)的突触器件在神经形态系统中表现出的多级存储单元(MLC)特性。通过不同的编程方案改变导电细...
  • 作者: 孙博文 王卿璞 钱凯
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  76-86
    摘要: 柔性电子器件是未来功能化集成电子发展的方向之一,其中用于信息存储及处理的高性能柔性存储器是重要的组成部分。忆阻器(resistive random access memory,ReRAM)因...
  • 作者: 刘森 孙毅 徐晖 曹荣荣 李清江 李锟
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  87-102
    摘要: 基于CMOS器件的传统冯·诺依曼计算架构愈发难以满足智能化发展日益增长的计算能效和速度需求,探寻新物理原理的基础器件并在此基础上发展存算一体架构成为学术界和产业界关注的前沿热点,基于忆阻器的...
  • 作者: 李晓钰 裴逸菲 赵建辉 赵莹 闫小兵
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  103-111
    摘要: 由于传统的半导体集成电路受工艺和物理尺寸的限制,因此进一步提高它的性能变得愈加困难。与此同时,阻变存储器(RRAM)由于其结构简单、编程/擦除速度快、功耗低等优点逐渐进入人们的视野。目前,基...
  • 作者: 刘益春 徐海阳 承艳坤 林亚 王中强
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  112-120
    摘要: 忆阻器因其具有独特的非线性电学特性,在高密度信息存储、神经突触仿生等领域具有巨大的应用潜力。氧化钨(WO_x)材料具有氧离子/空位易于调控的特性,适合发展高稳定性忆阻器件,是一种典型的忆阻材...
  • 作者:
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  121-121
    摘要: 第三届IEEE国际集成电路技术与应用学术会议将于2019年11月23日至25日在中国南京举行。该会议按照IEEE的国际会议相关标准举办,会议意在交流和展示当今社会中集成电路设计、技术和应用和...
  • 作者:
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  122-122
    摘要: 为推动自主智能机器人在中国科研、教育领域普及应用,促进芯片技术与机器人技术融合发展,培养中国人工智能机器人领域人才,2020国际自主智能机器人大赛(2020 International Co...
  • 作者:
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  123-123
    摘要: 嵌入式系统是以应用为中心,以计算机技术为基础,软件硬件可裁剪,适用于对功能、可靠性、成本、体积、功耗有严格要求的专用计算机系统。在现实生活中,凡是涉及到电脑控制的电子产品几乎都用到了嵌入式计...
  • 作者:
    发表期刊: 2019年4期
    页码:  124-124
    摘要: 《微纳电子与智能制造》(刊号:CN10-1594/TN)是微纳电子与智能制造领域国内外公开发行的专业学术类科技期刊。刊载微纳电子与智能制造及其交叉领域的研究新进展、新技术和新成果,促进学术交...

微纳电子与智能制造基本信息

刊名 微纳电子与智能制造 主编
曾用名
主办单位 北京方略信息科技有限公司 北京市电子科技情报研究所  主管单位 北京电子控股有限责任公司
出版周期 季刊 语种
chi
ISSN 2096-658X CN 10-1594/TN
邮编 100009 电子邮箱 tougao@mneim.org.cn
电话 010-640337 网址
地址 北京市东城区北河沿大街79号

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