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上海微电子技术和应用1995年第3期出版文献

出版文献量（篇）

435

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上海微电子技术和应用

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曾用名：上海半导体

ISSN：

1006-9453

CN：

31-1239/TN

出版周期：

季刊

邮编：

200040

地址：

上海市胶州路397号上海半导体器件研究

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热门刊内文献

年度刊次

1. SIMOX埋层的电离辐照及退火研究

作者：严荣良竺士炀

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 1-4

摘要：将Ｆ＾＋注入ＳＩＭＯＸ材料，剥去皮表硅并制成电容，经＾６０Ｃｏ－γ辐照试验和退火试验，并采用高频Ｃ－Ｖ方法分析表明，注Ｆ＾＋能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。
2. 铁电薄膜的Sol—Gel法制备

作者：宋世庚许华平

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 5-15

摘要：
3. 砷化镓梁式引线检波二极管研究

作者：苏勇郭方敏

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 16-20

摘要：
4. 串行通讯接收专用集成电路的线路设计

作者：俞承芳虞惠华

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 21-23

摘要：本文介绍的是一个控制器专用集成电路的通讯接收电路，利用此电路可接收按规定的格式传送的通讯数据，并将接收到的数据传送到控制器，电路采用了独立的数据移位寄存器与数据缓冲寄存器，并采用了循环冗余码...
5. 砷化镓MESFET器件的模拟

作者：杨国洪王碧娟

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 24-28

摘要：对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的工艺作了具体分析，认为模拟的关键是要正确描述注入原子的激活率，适移率，载原子分布及再分布，针对这几个问题，以实验结果为依据对ＰＩＳＣＥＳＩ－Ａ模拟程序作了改进...
6. 低功耗微型隔离绝缘放大器AD204

作者：郝鸿安

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 29-33

摘要：
7. 银币压印模具表面离子束增强沉积改性应用

作者：吕迎兰杨根庆

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 34-38

摘要：
8. 氧化锌薄膜溅射用靶体研究

作者：倪星元

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 39-41

摘要：
9. 运算放大器的新进展—电流反馈型放大器

作者：胡涎康

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 42-47

摘要：本文介绍了一种新型的运算放大器－电流反馈型放大器的特性，原理和应用，这种运算放大器的增益－带宽和摆率显著高于一般运算放大器，并且它的频带，摆率建立时间基本上和闭环增益无关，它可用于通讯，雷达...
10. Si1—xGex合金半导体及其应用

作者：沈学础石晓红

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 48-51

摘要：Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金及其与Ｓｉ构成的应变层异质结构，量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料，本文着重综述了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的结构，电学，光学性质及其广...
11. 电子封装技术简介

作者：孙卫明李善君

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 52-56

摘要：
12. 欧洲半导体产业

作者：翁帮松

刊名：上海微电子技术和应用

发表期刊： 1995年3期

页码: 57-60

摘要：

上海微电子技术和应用基本信息

刊名	上海微电子技术和应用	主编
曾用名	上海半导体
主办单位		主管单位
出版周期	季刊	语种
ISSN	1006-9453	CN	31-1239/TN
邮编	200040	电子邮箱
电话		网址
地址	上海市胶州路397号上海半导体器件研究