SIMOX埋层的电离辐照及退火研究

• 作者: 严荣良 竺士炀
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS/SIMOX埋层 电离辐照 退火 SOI技术
• 年，卷（期）: 1995,（3）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN305

摘要

将Ｆ＾＋注入ＳＩＭＯＸ材料，剥去皮表硅并制成电容，经＾６０Ｃｏ－γ辐照试验和退火试验，并采用高频Ｃ－Ｖ方法分析表明，注Ｆ＾＋能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。