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电子材料快报1998年第10期出版文献
出版文献量(篇)
576
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电子材料快报
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主办单位:
天津电子材料研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
月刊
邮编:
300192
地址:
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
出版文献量(篇)
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1.
光隔离器用石榴石基板
作者:
庶民
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
1
摘要:
2.
多层电路板用材料
作者:
庶民
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
2
摘要:
3.
硅晶体生长中引入的缺陷
作者:
一凡
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
2
摘要:
4.
有机发光材料
作者:
刘咏梅
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
3-6
摘要:
5.
CuInSe2薄膜生长
作者:
张忱
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
7
摘要:
6.
InP衬底上生长CdSe/ZnSe应变层超晶格
作者:
晓晔
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
8-9
摘要:
7.
气相外延生长GaN
作者:
义仡
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
8
摘要:
8.
非线性光学晶体CsLiB6O10
作者:
张忱
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
10
摘要:
9.
在晶向偏离的GaAs(110)上生长ZnSe
作者:
晓晔
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
11-12
摘要:
10.
新型电磁波吸收材料
作者:
张忱
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
12-13
摘要:
11.
用于多层器件的硫基三,四元外延层生长
作者:
晓晔
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
13-14
摘要:
12.
不同碳源生长SiC的材料质量
作者:
未休
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
14-15
摘要:
13.
GaAs(001)和(110)上的ZnSe异质外延
作者:
晓晔
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
15-16
摘要:
14.
GaN基紫外发光材料
作者:
黄义贞
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1998年10期
页码: 
17-18
摘要:
电子材料快报基本信息
刊名
电子材料快报
主编
曾用名
主办单位
天津电子材料研究所
主管单位
出版周期
月刊
语种
ISSN
CN
邮编
300192
电子邮箱
电话
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地址
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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