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出版文献量（篇）
478
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总被引数（次）
1404
半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
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31. AMLCD扫描驱动电路的研制刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文讨论ＡＭＬＣＤ的扫描驱动电路的电路结构和设计考虑，报导了在ＶＬＳＩ／ＡＭＬＣＤ中片上扫描驱动电路的设计和研制结果。
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32. 半导体薄膜自身的力敏参数的测量刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 半导体薄膜已用于力敏传感器，薄膜自身的力敏参数的测量是很必要的。但迄今只能得到薄膜与其衬底基片结合一体的复合样品测量值，因为很骓把薄膜完好剥离下来，剥下的薄膜又不易测量。本文提出新的算法和公...
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33. GaAs中杂质Zn的扩散机制刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文介绍并评价了杂质Ｚｎ在ＧａＡｓ中的两种比较新的间隙－替换扩散机制：ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｖｅ和ｋｉｃｋ－ｏｕｔ机制，讨论了今后的研究方向。
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34. 多孔硅光致发光温度特性分析刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 剖析了多孔硅光致发光与温度有关的实验现象，提出了一个既通过局域在量子线上激子态复合同时又通过一热释过程后经表面态复合的并在不同温度范围起作用的综合发光机理，定性地解释了多孔硅发光的温度特性及...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文概述了３ｄ族过渡金属氧化物半导体光电子薄膜的特性及其应用。由于这些氧化物半导体薄膜的特殊结构使它们具有结构相变、导电相变或磁性相变，并且在相变前后的光学、电学和磁学性质发生跃变，使它们成...
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36. 半导体超晶格物理与器件（18）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 半导体超晶物理与器件（１８）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）二、量子线与量子点晶体管量子线与量子点是一类典型的纳米半导体结构。由于这类结构的特征尺度已减小到与电子的德布罗意波长...
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 022-236153 | 网址 | |
| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
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