GaAs中杂质Zn的扩散机制

• 作者: 孙继忠 宋远红
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 间隙-替换机制 砷化镓 杂质 锌 扩散机制
• 年，卷（期）: 1995,（4）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23

摘要

本文介绍并评价了杂质Ｚｎ在ＧａＡｓ中的两种比较新的间隙－替换扩散机制：ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｖｅ和ｋｉｃｋ－ｏｕｔ机制，讨论了今后的研究方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋远红	大连理工大学三束实验室	10	11	2.0	3.0
2	孙继忠	大连理工大学三束实验室	14	29	4.0	5.0