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摘要:
分析了半绝缘(SI)GaAs表面光伏的特点和公式.用表面光伏方法测量了不同砷压热处理SI-GaAs单晶的双极扩散长度,用1.1 μm红外吸收法测量EL2浓度,并对测量结果作了分析和讨论.指出双极扩散长度La是反映SI-GaAs质量的一个重要电学参数.
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关键词云
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文献信息
篇名 半绝缘GaAs中的双极扩散长度
来源期刊 厦门大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 半绝缘GaAs 双极扩散长度 表面光伏
年,卷(期) 1999,(5) 所属期刊栏目 物理学·技术科学
研究方向 页码范围 692-695
页数 4页 分类号 TN304.23
字数 1911字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0438-0479.1999.05.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张声豪 厦门大学物理学系 5 16 3.0 4.0
2 王松柏 厦门大学物理学系 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
半绝缘GaAs
双极扩散长度
表面光伏
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
厦门大学学报(自然科学版)
双月刊
0438-0479
35-1070/N
大16开
福建省厦门市厦门大学囊萤楼218-221室
34-8
1931
chi
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7
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