半绝缘GaAs的双调制反射光谱研究

• 作者: 刘雪璐 吴江滨 罗向东 谭平恒
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双调制反射光谱 半绝缘GaAs 能带结构 带隙以上临界点
• 年，卷（期）: 2017,（14）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 416-425
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.147801

摘要

半导体材料电子能带结构的确定对研究其物理性质及其在半导体器件方面的应用有重要意义.光调制反射光谱是一种无损和高灵敏度的表征半导体材料电子能带结构的光学手段.光调制反射光谱中激光调制导致的材料介电函数的变化在联合态密度奇点附近表现得更为明显.通过测量这些变化,可以得到有关材料能带结构临界点的信息.然而在传统的单调制反射光谱中,激光调制信号的光谱线型拟合和临界点数目的分析往往被瑞利散射和荧光信号所干扰.本文将双调制技术与双通道锁相放大器结合,消除了瑞利信号和荧光信号的干扰,获得了具有较高信噪比的调制反射光谱信号.双通道锁相放大器可以同时解调出反射光谱信号及其经泵浦激光调制后的细微变化量,避免了多次采集时可能存在的系统误差.利用这种技术,在可见激光(2.33 eV)泵浦下,我们测量了半绝缘GaAs体材料从近红外至紫外波段(1.1—6.0 eV)的双调制反射光谱,获得了多个能带结构临界点的信息.探测到了高于泵浦能量之上的与GaAs能带结构高阶临界点对应的特征光谱信号,说明带隙以上高阶临界点的光调制反射光谱本质是光生载流子对内建电场的调制,并不是来自该临界点附近的能带填充效应.这一结果表明双调制反射光谱能够对半导体材料能带结构带隙及其带隙以上临界点进行更准确的表征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗向东	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	38	119	7.0	9.0
2	谭平恒	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	11	18	2.0	3.0
6	吴江滨	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	3	7	2.0	2.0
10	刘雪璐	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	1	1.0	1.0