InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究

• 作者: 余晨辉 张波 王茺 陆卫 龚谦
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 压电调制光谱 InAs/GaAs 表面量子点 洛伦兹线形拟合
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4934-4939
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.091

摘要

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs (311)B 为衬底的In0.35Ga0.65As 模板上生长的InAs 表面量子点结构的反射谱. 在77K 温度下, 观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As 模板以及GaAs 衬底等)的调制信号. 来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰. 用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR 谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置. 对不同样品PzR 谱的差异进行了定性的说明.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	209	2133	20.0	38.0
2	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
3	龚谦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	22	55	5.0	6.0
4	余晨辉	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	王茺	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	29	1.0	3.0