大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱

• 作者: 丁琨 方再利 李国华 牛智川 王晓东 苏付海 马宝珊 骆军委
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 凝聚态物理学 光致发光 压力 砷化铟 量子点
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 207-212
• 页数: 6页
• 分类号: O488
• 字数: 5799字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.03.011

摘要

在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.