论文降重
免费查重
出版文献量（篇）
478
总下载数（次）
1
总被引数（次）
1404
半导体杂志
分享
投稿
主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
出版文献量（篇）
478
总下载数（次）
1
总被引数（次）
1404
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 采用Ｌ．Ｌ．Ｐ提出的方法，在理论上研究了声子之间相互作用对ＡｌＳｂ内极化子性质的影响。结果表明：当动量趋于零时，声子之间的相互作用对极化子性质无影响，当动量达到某一值时，声子之间相互作用的能...
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 介绍了用于程控电话交换机的ＰＴＣ热敏元件的设计与制造以及实验结果与分析。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 首先提出了ＰＮ结压变电容特性性表达式，并给制出其曲线，然后导出了ＰＮ结结电容的几个近似计算式，最后通过实例说明了这些近似式在电子技术工程中的若干种应用。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 分析了我国集成电路产业的现状，针对我国集成电路产业发展存在的障碍，提出了发展我国集成电路产业的对策。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 宽带隙Ⅲ族氮化物半导体材料在新型光电器件中具有潜在应用，它的研究目前已成为材料科学中一个极其活跃的前沿。本文从表面热力学反应的角度出发，着重介绍了ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａ以及ＩｎＡｌ...
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 详细讨论了压阻型压力传感器设计中若刊重要问题，这些问题是合理利用压阻系数和膜上的应用，电阻条的布置和设计以及可靠性。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 分开胆一门正处于迅速发展中的新学科，其影响范围和应用领域也在日益扩大。本文简要介绍了分形的基本概念，以及分形应用于材料科学中的研究进展情况。
-
8. 超晶格材料刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 本文了与当今研究超晶格材料相关的几个重要问题。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 讨论了通过编写高效率软件，变换和读数同步进行，外置高速存储器和数据通道宽度匹配等方法来提高Ａ／Ｄ芯片与微机的接口速度。
-
10. 论扩频芯片Z2000中的视口设置刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 阐述了Ｚ２０００芯片内三个视口设置机理，并且讨论了每个视口的典型数据及设置方法。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 采用有机化合物和金属氧化物，按比例均匀混合制成液状ＳＭ材料，涂敷于器件台表面上，经过高温固化，形成坚硬、高密度、不透气的白色固体绝缘保护层。该保护材料经电性能检测和在Ｋｐ５００Ａ晶闸管生产线...
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 高能粒子辐射掺锗直拉硅中锗可以在硅的晶格结构中产生膨胀场，其引起的附加势能使邻近的空位、间隙原子的周期性的运动势场发生变化，从而锗作为湮灭中心，增大了空位与间隙原子的复合率。
-
13. 集成智能传感器的新进展刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 阐述了集成智能传感器的概念，对集成智能传感器理论和技术等方面的国际研究热点作了分析，介绍了几种具有代表性的智能传感器，并提出了我国应采取的对策。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年2期页码:摘要： ４分子束外延生长（ＭＢＥ）采用ＭＯＶＰＥ工艺可成功地进行各类Ⅲ族氮化物半导体的生长，但它也有某些不足之处。如由于ＭＯＶＰＥ生长温度较高，因此固相析出反应较快，同时由ＮＨ３的裂解所产生的Ｈ２会...
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年2期页码:摘要： ４二极管与三极管的设计［９，１５］压力传感器中除力敏电桥外往往有补偿电路，桥输出信号放大电路以及测温电路，甚至集成电路等等，不可避免地涉及二极管及三极管的设计。晶体管的设计和其它任何设计一样...
-
16. 高速硅闸流管的原理与制造方法刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 本文介绍高速硅闸流管简要原理制造方法。该器件可用于激光通信、引爆（信）、测距、小型雷达、模拟射击、游戏枪、车辆防碰撞等方面，也可用于各种脉冲电源及脉冲开关上。
-
17. 砷化镓光控半导体开关刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 光控半导体开关在脉冲功率等方面具有广泛的应用前景，越来越受到人们的重视。本文对光控半导体开关进行了简要介绍，包括ＧａＡｓ：Ｓｉ：Ｃｕ开关的原理和应用；ＧａＡｓ：Ｓｉ：Ｃｕ基本材料的制备；开关...
-
18. 电流模式CMOS高频集成锁相环刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 本文报道了一种电流模式高频ＣＭＯＳ锁相环，该锁相环由鉴相器、低通滤波器及电流控制高频振荡器组成。采用２μｍ工艺参数，用ＰＳＰＩＣＥ（ＬＥＶＥＬⅡ）进行模拟表明，该电路能在１７ＭＨｚ￣５０ＭＨ...
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 本文不但讨论了实际扩频通信系统工作前初始化设置的方法及内容，而且论述了对信号的正确捕捉以及发生错误捕促后应采取的措施。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 用射频磁控溅寺在不同的有机衬底上制备附着性好、电阻率低、透射率高的ＺｎＯ：Ａｌ的透明导电膜，并研究了薄膜的结构、电学和光学特性。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 提出了一种新型四象限ＣＭＯＳ模拟乘法器电路，其核心结构为线性化压控源耦对。基于ＭＯＳＩＳ２μｍｐ－阱ＣＭＯＳ工艺参数的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果表明：当电源电压为±５Ｖ，输入范围为±４Ｖ时，非线性...
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 分析研究了ＳＯＩ光波导传输机理，并对其传输损耗进行了计算。
-
23. 硅单晶及衬底的热处理特性刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要：
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 补偿传感器热漂移的方法很多，采用电阻补偿是一种简便而常用措施，但补偿电阻的计算非常复杂，如果用计算机来解决，问题就容易多了。
-
25. 电力电子器件发展概况及应用现状刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 回顾了电力电子器件的发展历程，对各种电力电子器件的原理、特性以及在电力电子装置中的应用进行了比较分析，最后对电力电子器件的发展前景进行了展望。
-
26. 高速发展的化学机械抛光技术刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 介绍了化学机械抛光的基本工作原理和目前发展情况。当前集成电路技术已进入０．１８μｍ时代，对集成度日益高的电路芯片，金属互联线的层数不断增加。每层金属互联线的金属条与其间隙之间的高度差都会造成...
-
27. 今年与明年的世界半导体设备市场刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 介绍了１９９９－２０００年世界半导体设备市场，包括设备投资、光刻机和布互形成设备。
-
28. 半导体量子点的自组织生长及其应用刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 所谓半导体量子点的自组织生长，是指具有较大晶格失配度的两种材料，依靠自身的应变能量，并以Ｓｔｒａｎｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ－Ｋ）生长模式，在衬底表面上形成的一定形状、尺寸和密度分布的自然...
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 介绍了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体特点，论述了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体获得ｎ、ｐ型衣深补偿能菜的研究现状，讨论了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物后的退火及其保护问题。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统，应用锗烷和硅烷气本，在２英雨到３英雨的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在６６５℃，６１０℃和５７５℃不同温度分别生长了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．２，Ｇ...
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 022-236153 | 网址 | |
| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
半导体杂志评价信息
半导体杂志统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
