Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析（1）

• 作者: 彭英才
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ族氮化物 气相外延 热力学过程 外延生长
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 页码范围: 19-24
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.23

摘要

宽带隙Ⅲ族氮化物半导体材料在新型光电器件中具有潜在应用，它的研究目前已成为材料科学中一个极其活跃的前沿。本文从表面热力学反应的角度出发，着重介绍了ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａ以及ＩｎＡｌＮ等Ⅲ族氮化物材料的气相外延生长。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0