薄膜科学与技术1990年第4期出版文献-钛学术文献服务平台

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薄膜科学与技术

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主办单位：

南京电子器件研究所

ISSN：

CN：

出版周期：

双月刊

邮编：

210016

地址：

南京1601信箱43分箱

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1. 非晶薄膜的特征厚度

作者：谭辉陶明德

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 1-5

摘要：
2. 用MOCVD方法在YSZ衬底上生长YBCO超导薄膜

作者：白国仁章熙康

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 6-11

摘要：
3. SnO2／Fe2O3多层薄膜气敏稳定性改善机制初探

作者：阎大卫马晓翠

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 12-18

摘要：
4. MOCVD—InP外延层的特性研究

作者：舒占永蒋红

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 19-26

摘要：
5. 微晶硅薄摸激光再晶化结构特性研究

作者：徐培苍曹子祥

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 27-33

摘要：
6. 界面态对a—Si：H／a—SiNx;H多层膜某些性质的影响

作者：廖克俊王万录

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 34-38

摘要：
7. 薄摸光学常数的ATR测试

作者：徐静江

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 39-46

摘要：
8. 离子注入PEN—2.6膜的电导性与结构的研究

作者：王培录黄天全

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 47-53

摘要：
9. tap CuPc LB薄膜气敏特性研究

作者：蒋大鹏陈文启

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 54-59

摘要：
10. 硅化钛上选择性化学汽相淀积钨

作者：周有衡李爱珍

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 60-65

摘要：
11. 燃烧酒精法合成金刚石

作者：张亚非张仿清

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 66-70

摘要：
12. 椭圆偏振参数的数据处理方法

作者：周庆初徐乃欣

刊名：薄膜科学与技术

发表期刊： 1990年4期

页码: 71-77

摘要：

薄膜科学与技术基本信息

刊名	薄膜科学与技术	主编
曾用名
主办单位	南京电子器件研究所	主管单位
出版周期	双月刊	语种
ISSN		CN
邮编	210016	电子邮箱
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地址	南京1601信箱43分箱

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