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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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目录
  • 31. MEMS空间光调制器的研究现状与发展趋势
    作者： 熊显名 胡放荣
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2010年5期
    页码:  665-669,676
    摘要： 空间光调制器是自适应光学系统中用来实时校正波前畸变的关键器件,其发展水平能够反映整个自适应光学系统的水平.基于微电子机械系统(MEMS)技术的空间光调制器具有体积小、能耗低、驱动器单元密度高...
  • 32. 大功率小垂直发散角980nm量子阱激光器
    作者： 刘素平 崇锋 熊聪 王冠 祁琼 胡理科 马骁宇
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2010年5期
    页码:  677-681,686
    摘要： 提出了一种新型非对称宽耦合波导结构,通过理论计算优化了结构中n型波导层和限制层厚度,并采用低压金属有机化学气相沉积方法生长了设计的器件结构.测试了器件的光电特性,1200μm腔长器件的阈值电...
  • 33. CdSe纳米材料对大功率白光LED显色性能的影响
    作者： 罗毅 钱可元 马骏
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2010年5期
    页码:  682-686
    摘要： 利用CdSe纳米材料可以通过改变其大小和形状得到不同波段发射光谱的特点,在常规荧光粉中加入发射波长为630 nm的红色CdSe纳米材料,补充大功率白光LED光谱在深红波段的缺失.结果表明:引...
  • 34. SLD光源相干特性研究
    作者： 张耀麒 方涛 陈渝
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2010年5期
    页码:  687-689,750
    摘要： 利用自相关的方法,从理论上分析计算了超辐射发光二极管(SLD)等宽谱光源的相干特性.并利用光纤陀螺的光路,从实验上研究了SLD的相干特性.实验结果与理论计算的一致,从而验证了这种理论计算的正...
  • 35. 长线阵12000元CCD密封技术研究
    作者： 王艳 程顺昌 钟四成 陈于伟
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2010年5期
    页码:  698-701
    摘要： 针对长线阵12000元CCD封装密封技术进行了探讨,比较了目前封装中的几种主流封盖技术的特点,表明采用胶封技术在目前对CCD来说是一种合理选择.针对紫外胶A,进行了胶封工艺的开发.对氟油粗检...
  • 36. 强光注入锁定半导体激光器的理论分析
    作者： 徐铁峰 方晓惠 李威 鲍吉龙
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2010年5期
    页码:  709-712,715
    摘要： 通过速率方程建立了强光注入半导体激光器的理论模型,研究了注入光强与从激光器注入锁定频率范围的关系.结果表明,强光注入增大了半导体激光器的注入锁定范围.同时对半导体激光器进行了时间特性的数值模...
  • 37. 可溶性聚吡咯甲烯衍生物的光电性能研究
    作者： 李宝铭 程雷 郑玉婴
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2010年5期
    页码:  729-731,735
    摘要： 在酸性条件下制备可溶性聚{(3-丙酰基)吡咯-[2,5-二(对硝基苯甲烯)]}(PPPDNBE),并且对PPPDNBE的热稳定性能、光物理性能和电化学性能进行研究.热失重曲线显示,PPPDN...
  • 38. 不同结构的一维纳米ZnO的制备及其性能研究
    作者： 王俊喜 王新昌 王爱华 董向丹
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2010年5期
    页码:  739-742
    摘要： 采用热蒸发法在不同的条件下制备出了阵列状和铅笔状的-维纳米ZnO.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、场发射测试仪、光致发光谱对ZnO纳米材料的结晶质量、形貌及场发射性能进行了分析.阵列状氧化锌...
  • 39. 电解液法改善碳纳米管阴极场发射特性
    作者： 方建放 薛绍林 邹儒佳
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2010年5期
    页码:  743-746
    摘要： 针对丝网印刷碳纳米管(CNT)阴极,提出用电解液法进行表面后处理,有效改善碳纳米管阴极场发射特性.利用扫描电子显微镜表征电解液法处理前后CNT阴极表面形貌变化,并对处理前后CNT阴极进行场发...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

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1. 信息产业部优秀电子期刊
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半导体光电统计分析

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