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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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  • 31. 等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状
    作者： 刘阳 常玉春 杜国同 殷景志 王一丁 马艳 高福斌
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  299-303,342
    摘要： 大多数OLED都用ITO做阳极,为了提高ITO的功函数、改善ITO表面的平整度和减少C的污染,通常要在生长有机材料前对ITO表面进行处理.介绍了目前用等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状...
  • 32. Bphen/Ag/Bphen复合缓冲层对有机太阳电池性能的影响
    作者： 徐洁 李青 林慧 王洪
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  309-312,316
    摘要： 采用Bphen/Ag/Bphen作为阴极缓冲层,制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池,研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响.结果表明,在Bphen缓冲层中加入1 nm的Ag时...
  • 33. CCD抗晕结构的设计和制作
    作者： 王晓强 程顺昌 钟四成
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  313-316
    摘要： 强光照射时,CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象,严重影响成像质量.文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD,详细阐述了其抗晕结构的设计和...
  • 34. 功率型发光二极管的寿命与失效分析
    作者： 刘洪涛 纪春绍 钱可元
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  331-335
    摘要： 可靠性是影响发光二极管应用的一个重要因素.对1 W大功率发光二极管分批在不同电流及不同结温下进行试验,分析了电流和结温对功率型发光二极管寿命的影响,应用应力加速模型推测在不同电流或结温条件下...
  • 35. 通过倒易空间扫描表征AlGaN外延材料
    作者： 周勋 廖秀英 杨晓波 赵文伯 赵红
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  383-385
    摘要： AlGaN在紫外器件(紫外探测器、紫外LED等)以及高速功率器件(HEMT等)方面有着非常重要的应用.提出利用HRXRD倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对Al...
  • 36. 复用技术在空间光通信中的应用研究
    作者： 朱子行 李勇军 王翔 赵尚弘 赵顾颢
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  392-397
    摘要： 复用技术能够利用现有的硬件设备和成熟技术,成倍地提高系统容量,已经成为高速空间光通信的重要技术手段.文章从提高信息传输速率的角度出发,研究了偏振复用、波分复用、时分复用、光MIMO以及正交频...
  • 37. 激光隐身效果评估方法研究
    作者： 于志辉 巨养锋 张乐 张雷 薛建国
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  436-438
    摘要： 激光隐身技术可以降低目标在激光工作波长处的反射特性,从而削弱敌方激光探测设备的探测能力,有效保护己方目标.对目标的激光隐身效果进行评估,对于激光隐身技术的发展和应用具有重要作用,激光雷达截面...
  • 38. 基于F-P腔的光纤光栅传感器波长移位量的检测
    作者： 杨颖
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  439-441
    摘要： 对构成法布里-珀罗腔(F-P腔)的光纤布喇格光栅的传输特性进行了分析,推导了F-P腔的光强透射率和反射率的解析表达式.将F-P腔内一个光纤布拉格光栅的背面贴一压电陶瓷,通过给压电陶瓷施加扫描...
  • 39. 《半导体光电》稿约
    作者：
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  448
    摘要：

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

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